工业硅片上长出“完美”二维超薄材料，可用于制造下一代晶体管和电子薄膜

(资料图)

据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料，以制造越来越小的晶体管。麻省理工学院研究团队用二维材料过渡金属二硫化物(TMD)制造了一种简单的功能晶体管，这种材料在纳米尺度上比硅具有更好的导电性。研究人员表示，未来或可制造出小于几纳米的器件，这将改变摩尔定律的范式。(科技日报)

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