泰科天润：国产SiC Mosfet做好持久战准备

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6月15日，集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，泰科天润应用测试中心总监高远呼吁，要结合材料、设备、工艺、生产效率等多维度及从产业链整理发展的视角综合评估SiC MOSFET产品；另外，国产SiC MOSFET在特性、一致性、可靠性、应用验证与国际领先水平尚有差距，需要稳扎稳打做好持久战准备，跟上国际发展脚步不掉队就是胜利。据介绍，2019年泰科天润在长沙启动6英寸碳化硅晶圆厂，2021年向市场出货，今年年底产能将完成第二阶段扩产达到10万片/年。

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