天岳先进2021年实现扭亏为盈 产能建设提速

3月31日晚间，天岳先进披露上市后首份年报。2021年，公司实现营收4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，实现扭亏为盈；基本每股收益为0.23元/股。

第三代半导体材料碳化硅衬底是天岳先进的核心产品及主要收入来源，经过十余年的技术积累，公司已掌握涵盖晶体生长、衬底加工等各环节核心技术。天岳先进市场影响力持续增强，根据行业知名机构Yole报告显示，在半绝缘碳化硅衬底领域，公司已经连续三年市占率位列全球前三。

值得注意的是，公司自主研发的半绝缘型碳化硅衬底产品，广泛应用于5G通信、国防军工、航空航天等射频领域。2019年12月，公司获得国家科学技术进步一等奖。

碳化硅行业处于爆发前期，碳化硅已成为新能源车800V时代的超强风口。对于碳化硅器件而言，衬底产能是关键环节。

目前，天岳先进为迎接导电型衬底市场的爆发，科创板上市募集资金约35亿元，主要用于提升导电型衬底产能，加速推进其上海临港（600848）项目。该项目被列为2022年上海市重大建设项目，预计三季度实现一期项目投产。据悉，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年，是目前公司产能的六倍之多，将有效缓解公司产能不足。

另外，天岳先进研发投入高增长，持续构筑领先的技术优势。公司2021年在研项目的研发投入将近1.42亿元，主要集中在大尺寸及导电型衬底领域。

天岳先进表示，持续研发投入也提升了公司长远竞争优势。依托“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等项目，公司在加快研发大尺寸碳化硅衬底以及提升导电型衬底关键指标等方面获得突破性进展。2021年，公司及下属子公司合计新申请发明专利和实用新型专利共89项，其中发明专利37项。在产业化方面，公司已通过车规级IATF16949体系认证的现场审核，并积极推动相应产品的客户认证工作。（朱剑平）

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